Täze hakyky asyl IC aksiýasy Elektron komponentler Ic çip goldawy BOM hyzmaty TPS62130AQRGTRQ1
Önüm aýratynlyklary
| TYPE | Düşündiriş |
| Kategoriýa | Toplumlaýyn zynjyrlar (IC) Naprýatageeniýe sazlaýjylary - DC DC kommutator sazlaýjylary |
| Mfr | Tehas gurallary |
| Seriýa | Awtoulag, AEC-Q100, DCS-Control ™ |
| Bukja | Lenta we makara (TR) Lentany kesiň (CT) Digi-Reel® |
| SPQ | 250T & R. |
| Önümiň ýagdaýy | Işjeň |
| Funksiýa | Basgançak |
| Çykyş konfigurasiýasy | Oňyn |
| Topologiýa | Bak |
| Çykyş görnüşi | Düzülip bilner |
| Netijeleriň sany | 1 |
| Naprýatageeniýe - Giriş (Min) | 3V |
| Naprýatageeniýe - Giriş (Maks) | 17V |
| Naprýa .eniýe - çykyş (minut / kesgitlenen) | 0.9V |
| Naprýatageeniýe - çykyş (Maks) | 6V |
| Häzirki - çykyş | 3A |
| Quygylyk - kommutasiýa | 2.5MHz |
| Sinhron düzediji | Hawa |
| Işleýiş temperaturasy | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) |
| Gurnama görnüşi | Faceerüsti dag |
| Bukja / gap | 16-VFQFN açylan pad |
| Üpjün ediji enjam bukjasy | 16-VQFN (3x3) |
| Esasy önümiň belgisi | TPS62130 |
1.
IC-iň nädip gurlandygyny bilenden soň, ony nädip ýasamalydygyny düşündirmegiň wagty geldi.Spreý boýag bilen jikme-jik çyzmak üçin, çyzgy üçin maskany kesip, kagyz ýüzüne goýmalydyrys.Soňra boýagy kagyza deň derejede sepýäris we boýag guradylandan soň maskany aýyrýarys.Arassa we çylşyrymly nagyş döretmek üçin bu gaýtalanýar.Maskalaşdyrmak prosesinde biri-biriniň üstüne gatlaklary ýerleşdirip, edil şonuň ýaly ýasaldym.
IC önümçiligini bu 4 ýönekeý ädimlere bölmek mümkin.Hakyky önümçilik ädimleri üýtgäp biler we ulanylýan materiallar dürli bolup biler, umumy ýörelge meňzeýär.Bu proses boýagdan birneme tapawutlanýar, sebäbi IC-ler boýag bilen öndürilýär we soňra maskalanýar, boýag bolsa ilki maskalanýar we soňra boýalýar.Her proses aşakda beýan edilýär.
Metal tüýkürmek: Ulanyljak metal material inçe film döretmek üçin waflä deň derejede sepilýär.
Fotorezist amaly: Fotorezist materialy ilki wafliň üstünde goýulýar we fotomaskanyň üsti bilen (fotomask prinsipi indiki gezek düşündiriler) fotorezist materialynyň gurluşyny ýok etmek üçin yşyk şöhlesi islenmeýän bölegine urulýar.Zeper ýeten material soňra himiki maddalar bilen ýuwulýar.
Etching: Fotorezist tarapyndan goralmaýan kremniniň wafli ion şöhlesi bilen örtülendir.
Fotorezisti aýyrmak: Galan fotorezist, fotorezist aýyrmak çözgüdi bilen eräp, şeýlelik bilen prosesi tamamlaýar.
Iň soňky netije, bir wafli birnäçe 6IC çip bolup, soňra kesilýär we gaplamak üçin gaplaýyş zawodyna iberilýär.
2.Nanometr prosesi näme?
Samsung we TSMC ösen ýarymgeçiriji prosesinde göreşýärler, hersi sargytlary üpjün etmek üçin zawodda başlamaga synanyşýar we bu takmynan 14nm bilen 16nm aralygyndaky söweşe öwrüldi.Azaldylan prosesiň getirjek peýdalary we problemalary haýsylar?Aşakda nanometr prosesini gysgaça düşündireris.
Nanometr näçe kiçi?
Başlamazdan ozal nanometrleriň nämäni aňladýandygyna düşünmek möhümdir.Matematiki nukdaýnazardan seredilende, bir nanometr 0.000000001 metr, ýöne bu gaty erbet mysal - onluk nokatdan soň diňe birnäçe nol görüp bileris, ýöne olaryň nämedigine düşünip bilmeris.Muny dyrnagyň galyňlygy bilen deňeşdirsek, has düşnükli bolup biler.
Dyrnagyň galyňlygyny ölçemek üçin hökümdar ulansak, dyrnagyň galyňlygynyň takmynan 0.0001 metr (0,1 mm) bolandygyny görüp bileris, bu bolsa dyrnagyň bir tarapyny 100,000 setirde kesmäge synanyşsak, her setir takmynan 1 nanometre deňdir.
Nanometriň näderejede kiçidigini bilenden soň, prosesi gysgaltmagyň maksadyna düşünmeli.Kristallary gysmagyň esasy maksady, tehnologiki ösüş sebäpli çip ulalmazlygy üçin has köp kristallary has kiçi çipe ýerleşdirmekdir.Netijede, çipiň kiçeldilen göwrümi ykjam enjamlara gabat gelmegi we geljekde inçe islegini kanagatlandyrar.
Mysal hökmünde 14nm alsak, bu çipdäki 14nm ululykdaky simiň ululygyna degişlidir.
