Bir Stockada gyzgyn satuwda BQ25896RTWR Batareýa zarýad berijisi Asyl IC çip zynjyrlary elektronika komponentleri
Önüm aýratynlyklary
TYPE | Düşündiriş |
Kategoriýa | Toplumlaýyn zynjyrlar (IC) PMIC - Batareýa zarýad berijileri |
Mfr | Tehas gurallary |
Seriýa | MaxCharge ™ |
Bukja | Lenta we makara (TR) Lentany kesiň (CT) Digi-Reel® |
SPQ | 250 |T&R |
Önümiň ýagdaýy | Işjeň |
Batareýa himiýasy | Lityum Ion / Polimer |
Öýjükleriň sany | 1 |
Häzirki - zarýad bermek | - |
Programmirläp boljak aýratynlyklar | - |
Näsazlyklary goramak | Häzirki, temperaturadan ýokary |
Häzirki zarýad - Maks | 3A |
Batareýa paketiniň naprýa .eniýesi | - |
Naprýa --eniýe - üpjünçilik (Maks) | 14V |
Interfeýs | I²C |
Işleýiş temperaturasy | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
Gurnama görnüşi | Faceerüsti dag |
Bukja / gap | 24-WFQFN açylan pad |
Üpjün ediji enjam bukjasy | 24-WQFN (4x4) |
Esasy önümiň belgisi | BQ25896 |
Kategoriýa | Toplumlaýyn zynjyrlar (IC) PMIC - Batareýa zarýad berijileri |
Önümiň tanyşdyrylyşy
Batareýa zarýad beriji çip, bir litiý batareýadan, bir litiý demir fosfat akkumulýatoryndan ýa-da iki-dört NiMH batareýasyndan köp batareýa zarýad berip we dolandyryp bilýän çipdir.
Öndürijilik görkezijileri
Döwrebap zarýad berijileriň esasy talaplary gysga zarýad beriş wagty we howpsuzlygy (batareýa zeper ýetmez we batareýanyň ömri gysgalmaz).Munuň üçin ýokary toklary sürmäge ukyply we güýçli kesgitlemek ukyby we ajaýyp zarýad beriş prosesi bolan integral zynjyrly zarýad beriji gerek.Adatça, çalt zarýad berijileriň zarýad beriş wagty bir sagatdan az bolýar we şonuň üçin ýokary zarýad toguny talap edýär.
Önümler hakda
BQ25896 ýokary integrirlenen 3-wyklýuçatel re modeimli batareýa zarýadyny dolandyrmak we bir öýjükli Li-Ion we Li-polimer batareýasy üçin ulgam güýji dolandyryş dolandyryş enjamy.Enjamlar ýokary giriş naprýa .eniýesini çalt zarýadlamagy goldaýarlar.Pes impedans güýji ýoly, wyklýuçatel re modeiminiň işleýiş netijeliligini gowulandyrýar, batareýanyň zarýad beriş wagtyny gysgaldýar we zarýad beriş döwründe batareýanyň ömrüni uzaldýar.Zarýad bermek we ulgam sazlamalary bilen I2C Serial interfeýsi enjamy hakykatdanam çeýe çözgüt edýär.
Enjam giriş çeşmeleriniň giň toplumyny goldaýar we netijäni USB PHY enjamy ýaly ulgamdaky kesgitleme zynjyryndan alýar.Giriş toky we naprýa .eniýäni saýlamak, USB 2.0 we USB 3.0 güýç spektri bilen gabat gelýär.Mundan başga-da, Giriş Häzirki Optimizer (ICO), giriş çeşmesiniň artykmaç ýük bolmazdan iň ýokary güýç nokadyny kesgitlemegini goldaýar.Şeýle hem, enjam VBUS-da 5 A (sazlap bolýan 4.5V-5.5V) 2 A çenli çäkli çäk bilen üpjün etmek arkaly USB On-the-Go (OTG) iş güýji reýting spesifikasiýasyna laýyk gelýär.
Kuwwat ýoluny dolandyrmak ulgamy batareýanyň naprýa .eniýesinden birneme ýokarlandyrýar, ýöne ulgamyň iň pes naprýa .eniýesinden (programmirläp bolýan) 3.5V-den aşak düşmeýär.Bu aýratynlyk bilen, batareýa doly tükenende ýa-da aýrylanda-da ulgam işlemegini dowam etdirýär.Giriş tok çäkleri ýa-da naprýa limiteniýe çägine ýetilende, güýç ýoluny dolandyrmak zarýad toguny awtomatiki nola çenli azaldar.Ulgam ýüküniň artmagy bilen, güýç ýoly ulgamyň güýji talaplary ýerine ýetirilýänçä batareýany boşadýar.
Bu Goşmaça re operationim giriş çeşmesiniň artykmaç ýüklenmeginiň öňüni alýar.
Şeýle hem, enjam zarýad toguna we giriş / batareýa / ulgam (VBUS, BAT, SYS, TS) naprýa .eniýelerine gözegçilik etmek üçin 7 bitlik analogdan sanly öwrüjini (ADC) üpjün edýär.QON pin, pes güýçli gämi re modeiminden ýa-da ulgamy täzeden düzmek funksiýasyndan çykmak üçin BATFET mümkinçiligini / täzeden dolandyrmagy üpjün edýär.
Enjam maşgalasy 24 pinli, 4 x 4 mm2 x 0,75 mm inçe WQFN paketinde bar.
Geljekki tendensiýalar
Elektrik dolandyryş çipleri üçin geljegi umytly.Täze prosesleriň, gaplamagyň we zynjyryň dizaýn usullarynyň ösdürilmegi arkaly has gowy öndürijilikli enjamlar bolar.Kuwwat dykyzlygyny gowulandyryp, batareýanyň ömrüni uzaldyp, elektromagnit päsgelçiligini azaldyp, güýç we signal bitewiligini ýokarlandyryp we ulgam howpsuzlygyny gowulandyryp, dünýädäki in engineenerlere innowasiýa ýetmäge kömek edip bilerler.