Bir duralga hyzmaty SON8 TPS7A8101QDRBRQ1 Asyl we täze IC elektroniki çipleri bilen
Önüm aýratynlyklary
TYPE | Düşündiriş |
Kategoriýa | Toplumlaýyn zynjyrlar (IC) |
Mfr | Tehas gurallary |
Seriýa | Awtoulag, AEC-Q100 |
Bukja | Lenta we makara (TR) Lentany kesiň (CT) Digi-Reel® |
SPQ | 3000 T&R |
Önümiň ýagdaýy | Işjeň |
Çykyş konfigurasiýasy | Oňyn |
Çykyş görnüşi | Düzülip bilner |
Düzgünleşdirijileriň sany | 1 |
Naprýatageeniýe - Giriş (Maks) | 6.5V |
Naprýa .eniýe - çykyş (minut / kesgitlenen) | 0.8V |
Naprýatageeniýe - çykyş (Maks) | 6V |
Naprýa .eniýeniň düşmegi (Maks) | 0.5V @ 1A |
Häzirki - çykyş | 1A |
Häzirki - Quiescent (Iq) | 100 µA |
Häzirki - üpjünçilik (Maks) | 350 µA |
PSRR | 48dB ~ 38dB (100Hz ~ 1MHz) |
Dolandyryş aýratynlyklary | Işlet |
Gorag aýratynlyklary | Tokdan, temperaturadan ýokary, ters polýarlyk, naprýa Lockeniýediň ýapylmagy astynda (UVLO) |
Işleýiş temperaturasy | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) |
Gurnama görnüşi | Faceerüsti dag |
Bukja / gap | 8-VDFN açylan pad |
Üpjün ediji enjam bukjasy | 8-SON (3x3) |
Esasy önümiň belgisi | TPS7A8101 |
LDO, ýa-da pes düşýän sazlaýjy, pes çykýan çyzykly sazlaýjy, doýgun sebitinde işleýän tranzistor ýa-da meýdan effekt turbasyny (FET) kadalaşdyrylan çykyş naprýa .eniýesini öndürmek üçin ulanylýan giriş naprýa .eniýesinden artykmaç naprýa .eniýäni ulanýar.
Dört esasy element: Dropout, Sesi, Elektrik üpjünçiligini ret etmek gatnaşygy (PSRR) we Quiescent Current Iq.
Esasy komponentler: başlangyç zynjyr, hemişelik tok çeşmesiniň ikitaraplaýyn birligi, zynjyry işletmek, sazlaýjy element, salgy çeşmesi, ýalňyşlyk güýçlendiriji, seslenme garşylyk ulgamy we gorag zynjyry we ş.m.
Işleýiş ýörelgesi
LDO esasy zynjyry VT seriýaly sazlaýjy, R1 we R2 nusga rezistorlary we deňeşdirme güýçlendiriji A-dan ybarat
Ulgam güýçlendirilýär, eger açyk pin ýokary derejede bolsa, zynjyr başlaýar, hemişelik tok çeşmesi tutuş zynjyry ikitaraplaýyn üpjün edýär, salgy çeşmesiniň naprýa .eniýesi çalt döredilýär we düzgünleşdirilmedik giriş naprýa .eniýesi naprýa aseniýe hökmünde ulanylýar; tok üpjünçiligi, salgy naprýa .eniýesi ýalňyş güýçlendirijiniň otrisatel faza giriş naprýa aseniýesi hökmünde ulanylýar, rezistor seslenme ulgamy çykyş naprýa .eniýesini bölýär we ses naprýa .eniýesini alýar, bu seslenme naprýa erroreniýesi ýalňyşlyk deňeşdirijisiniň şol bir ugur terminalyna giriş, we otrisatel Bu seslenme naprýa .eniýesi ýalňyş deňeşdirijiniň izotrop tarapyna girişdir we otrisatel naprýa .eniýe bilen deňeşdirilende.Iki woltyň arasyndaky tapawut, güýç sazlaýjy elementiň derwezesine gönüden-göni gözegçilik etmek üçin säwlik güýçlendiriji bilen güýçlendirilýär we LDO-nyň çykyşy sazlaýjy turbanyň geçirijilik ýagdaýyny üýtgetmek arkaly dolandyrylýar, ýagny Vout = (R1 + R2) / R2 × Vref
Hakyky pes düşýän çyzykly sazlaýjy, şeýle hem ýük gysga zynjyry goramak, aşa wolt ýapmak, termiki ýapmak, ters birikmäni goramak we ş.m. ýaly beýleki funksiýalara eýedir.
Üstünlikleri, kemçilikleri we häzirki ýagdaýy
Pes düşýän naprýa .eniýe (LDO) çyzykly sazlaýjylar arzan bahaly, pes ses, pes tokly tok, az daşarky komponentler, adatça diňe bir ýa-da iki aýlawly kondensator bolup, gaty pes ses we ýokary elektrik üpjünçiligini ret etmek gatnaşygy (PSRR).LDO, gaty az sarp edýän Çipdäki (SoC) kiçi ulgam.Häzirki esasy kanal dolandyryşy üçin ulanylyp bilner we gaty pes garşylykly MOSFET-ler, Şottki diodlary, nusga alýan rezistorlar we naprýatageeniýe bölüjileri, şeýle hem aşa gorag, aşa gyzgynlyk, takyk salgylanma çeşmeleri, diferensial güýçlendirijiler, gijikdirijiler we ş.m. PG her çykyş ýagdaýy üçin öz-özüni barlaýan we ygtybarly elektrik üpjünçiligini gijikdirýän LDO-nyň täze nesli, bu hem “Power Good”, ýagny “güýç gowy ýa-da güýç durnukly” diýlip hem atlandyrylyp bilner. .LDO-laryň köpüsi girişde diňe bir kondensator we durnukly işlemek üçin çykyşda bir kondensator talap edýär.
Täze LDO-lar aşakdaky spesifikasiýalara ýetip bilerler: 30µV ses sesi, 60dB PSRR, 6µA tok akymy we diňe 100mV naprýa dropeniýe peselmegi.LDO çyzykly sazlaýjylaryň bu gowulaşan işiniň esasy sebäbi, ulanylýan sazlaýjynyň naprýatageeniýe bilen işleýän we tok talap etmeýän P-kanal MOSFET bolmagydyr, enjamyň özi tarapyndan sarp edilýän tok azalýar we üstündäki naprýa dropeniýe peselýär.düşmegi, çykyş tokynyň we garşylygyň önümine takmynan deňdir.MOSFET-den naprýa .eniýeniň peselmegi garşylygy pesligi sebäpli gaty pes.Adaty çyzykly sazlaýjylar PNP tranzistorlaryny ulanýarlar.PNP tranzistorlary bolan zynjyrlarda, PNP tranzistorynyň doýmazlygy we çykyş mümkinçiligini peseltmegi üçin giriş we çykyş arasyndaky naprýa .eniýe peselmegi gaty pes bolmaly däldir.