10AX066H3F34E2SG 100% Täze we asyl izolýasiýa güýçlendiriji 1 aýlaw tapawudy 8-SOP
Önüm aýratynlyklary
RoB RoHS | Gabat gelýän |
ECCN (ABŞ) | 3A001.a.7.b |
Bölümiň ýagdaýy | Işjeň |
HTS | 8542.39.00.01 |
Awtoulag | No |
PPAP | No |
Maşgala ady | Arria® 10 GX |
Amal tehnologiýasy | 20nm |
Ulanyjy I / Os | 492 |
Hasaba alyjylaryň sany | 1002160 |
Işleýiş üpjünçiligi naprýa .eniýesi (V) | 0.9 |
Logika elementleri | 660000 |
Köpeltýänleriň sany | 3356 (18x19) |
Programmanyň ýat görnüşi | SRAM |
Içerki ýat (Kbit) | 42660 |
Blok RAM-yň umumy sany | 2133 |
Enjam logika bölümleri | 660000 |
DLL / PLL-leriň enjam sany | 16 |
Geçiriji kanallar | 24 |
Geçirijiniň tizligi (Gbps) | 17.4 |
Bagyşlanan DSP | 1678 |
PCIe | 2 |
Programmirleme | Hawa |
Gaýtadan programma goldawy | Hawa |
Gorag nusgasyny göçüriň | Hawa |
Ulgamda programma üpjünçiligi | Hawa |
Tizlik derejesi | 3 |
-Eke-täk I / O standartlary | LVTTL | LVCMOS |
Daşarky ýat interfeýsi | DDR3 SDRAM | DDR4 | LPDDR3 | RLDRAM II | RLDRAM III | QDRII + SRAM |
Iň az iş üpjünçiligi naprýa .eniýesi (V) | 0.87 |
Iň ýokary iş üpjünçiligi naprýa .eniýesi (V) | 0.93 |
I / O naprýa .eniýe (V) | 1.2 | 1.25 | 1.35 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3 |
Iň pes iş temperaturasy (° C) | 0 |
Iň ýokary iş temperaturasy (° C) | 100 |
Üpjün edijiniň temperatura derejesi | Giňeldildi |
Söwda ady | Arria |
Gurnamak | Faceerüsti dag |
Bukjanyň beýikligi | 2.63 |
Bukjanyň giňligi | 35 |
Bukjanyň uzynlygy | 35 |
PCB üýtgedi | 1152 |
Standart paketiň ady | BGA |
Üpjün ediji bukjasy | FC-FBGA |
Hasaplamak | 1152 |
Gurşun şekili | Top |
Toplumlaýyn aýlaw görnüşi
Elektronlar bilen deňeşdirilende, fotonlarda statiki massa ýok, gowşak täsirleşme, güýçli päsgelçilik garşylygy ýok we maglumat geçirmek üçin has amatly.Optiki baglanyşyk, energiýa sarp ediş diwaryny, ammar diwaryny we aragatnaşyk diwaryny döwmek üçin esasy tehnologiýa öwrüler diýlip garaşylýar.Umagtylandyryjy, birleşdiriji, modulýator, tolkun goraýjy enjamlar fotoelektrik integrirlenen mikro ulgam ýaly ýokary dykyzlykly optiki aýratynlyklara birleşdirilip, ýokary dykyzlykly fotoelektrik integrasiýanyň hilini, göwrümini, kuwwatyny sarp edip biler, fotoelektrik integrasiýa platformasy, III - V goşma ýarymgeçiriji monolit integral (INP) ) passiw integrasiýa platformasy, silikat ýa-da aýna (planar optiki tolkun goragçysy, PLC) platformasy we kremniý esasly platforma.
InP platformasy esasan lazer, modulýator, detektor we beýleki işjeň enjamlary öndürmek üçin ulanylýar, pes tehnologiýa derejesi, ýokary substrat bahasy;Passiw komponentleri, pes ýitgini, uly göwrümi öndürmek üçin PLC platformasyny ulanmak;Iki platforma bilen baglanyşykly iň uly mesele, materiallaryň kremniý esasly elektronika bilen gabat gelmezligi.Silikon esasly fotoniki integrasiýanyň iň görnükli artykmaçlygy, bu amalyň CMOS prosesi bilen utgaşmagy we önümçiligiň bahasynyň pes bolmagy, şonuň üçin iň potensial optoelektroniki we hatda ähli optiki integrasiýa shemasy hasaplanýar
Silikon esasly fotonik enjamlar we CMOS zynjyrlary üçin iki integrasiýa usuly bar.
Öňküsiniň artykmaçlygy, fotonik enjamlaryň we elektron enjamlaryň aýratyn optimizirlenmegidir, ýöne indiki gaplamak kyn we täjirçilik programmalary çäklidir.Ikinjisi, iki enjamyň integrasiýasyny taslamak we gaýtadan işlemek kyn.Häzirki wagtda ýadro bölejikleriniň integrasiýasyna esaslanýan gibrid gurnama iň gowy saýlawdyr