sargyt_bg

önümleri

10AX066H3F34E2SG 100% Täze we asyl izolýasiýa güýçlendiriji 1 aýlaw tapawudy 8-SOP

gysga düşündiriş:

Tamper goragy - gymmatly IP maýa goýumlaryňyzy goramak üçin giňişleýin dizaýn goragy
Hakyky tassyklamak bilen 256 bitli ösen şifrlemek standarty (AES) dizaýn howpsuzlygy
PCIe Gen1, Gen2 ýa-da Gen3 ulanyp protokol (CvP) arkaly konfigurasiýa
Geçirijileriň we PLL-leriň dinamiki konfigurasiýasy
Esasy matanyň inçe däneli bölekleýin konfigurasiýasy
Işjeň seriýa x4 interfeýsi

Haryt maglumatlary

Haryt bellikleri

Önüm aýratynlyklary

RoB RoHS Gabat gelýän
ECCN (ABŞ) 3A001.a.7.b
Bölümiň ýagdaýy Işjeň
HTS 8542.39.00.01
Awtoulag No
PPAP No
Maşgala ady Arria® 10 GX
Amal tehnologiýasy 20nm
Ulanyjy I / Os 492
Hasaba alyjylaryň sany 1002160
Işleýiş üpjünçiligi naprýa .eniýesi (V) 0.9
Logika elementleri 660000
Köpeltýänleriň sany 3356 (18x19)
Programmanyň ýat görnüşi SRAM
Içerki ýat (Kbit) 42660
Blok RAM-yň umumy sany 2133
Enjam logika bölümleri 660000
DLL / PLL-leriň enjam sany 16
Geçiriji kanallar 24
Geçirijiniň tizligi (Gbps) 17.4
Bagyşlanan DSP 1678
PCIe 2
Programmirleme Hawa
Gaýtadan programma goldawy Hawa
Gorag nusgasyny göçüriň Hawa
Ulgamda programma üpjünçiligi Hawa
Tizlik derejesi 3
-Eke-täk I / O standartlary LVTTL | LVCMOS
Daşarky ýat interfeýsi DDR3 SDRAM | DDR4 | LPDDR3 | RLDRAM II | RLDRAM III | QDRII + SRAM
Iň az iş üpjünçiligi naprýa .eniýesi (V) 0.87
Iň ýokary iş üpjünçiligi naprýa .eniýesi (V) 0.93
I / O naprýa .eniýe (V) 1.2 | 1.25 | 1.35 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3
Iň pes iş temperaturasy (° C) 0
Iň ýokary iş temperaturasy (° C) 100
Üpjün edijiniň temperatura derejesi Giňeldildi
Söwda ady Arria
Gurnamak Faceerüsti dag
Bukjanyň beýikligi 2.63
Bukjanyň giňligi 35
Bukjanyň uzynlygy 35
PCB üýtgedi 1152
Standart paketiň ady BGA
Üpjün ediji bukjasy FC-FBGA
Hasaplamak 1152
Gurşun şekili Top

Toplumlaýyn aýlaw görnüşi

Elektronlar bilen deňeşdirilende, fotonlarda statiki massa ýok, gowşak täsirleşme, güýçli päsgelçilik garşylygy ýok we maglumat geçirmek üçin has amatly.Optiki baglanyşyk, energiýa sarp ediş diwaryny, ammar diwaryny we aragatnaşyk diwaryny döwmek üçin esasy tehnologiýa öwrüler diýlip garaşylýar.Umagtylandyryjy, birleşdiriji, modulýator, tolkun goraýjy enjamlar fotoelektrik integrirlenen mikro ulgam ýaly ýokary dykyzlykly optiki aýratynlyklara birleşdirilip, ýokary dykyzlykly fotoelektrik integrasiýanyň hilini, göwrümini, kuwwatyny sarp edip biler, fotoelektrik integrasiýa platformasy, III - V goşma ýarymgeçiriji monolit integral (INP) ) passiw integrasiýa platformasy, silikat ýa-da aýna (planar optiki tolkun goragçysy, PLC) platformasy we kremniý esasly platforma.

InP platformasy esasan lazer, modulýator, detektor we beýleki işjeň enjamlary öndürmek üçin ulanylýar, pes tehnologiýa derejesi, ýokary substrat bahasy;Passiw komponentleri, pes ýitgini, uly göwrümi öndürmek üçin PLC platformasyny ulanmak;Iki platforma bilen baglanyşykly iň uly mesele, materiallaryň kremniý esasly elektronika bilen gabat gelmezligi.Silikon esasly fotoniki integrasiýanyň iň görnükli artykmaçlygy, bu amalyň CMOS prosesi bilen utgaşmagy we önümçiligiň bahasynyň pes bolmagy, şonuň üçin iň potensial optoelektroniki we hatda ähli optiki integrasiýa shemasy hasaplanýar

Silikon esasly fotonik enjamlar we CMOS zynjyrlary üçin iki integrasiýa usuly bar.

Öňküsiniň artykmaçlygy, fotonik enjamlaryň we elektron enjamlaryň aýratyn optimizirlenmegidir, ýöne indiki gaplamak kyn we täjirçilik programmalary çäklidir.Ikinjisi, iki enjamyň integrasiýasyny taslamak we gaýtadan işlemek kyn.Häzirki wagtda ýadro bölejikleriniň integrasiýasyna esaslanýan gibrid gurnama iň gowy saýlawdyr


  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň