10AX066H3F34E2SG 100% Täze we asyl izolýasiýa güýçlendiriji 1 aýlaw tapawudy 8-SOP

10AX066H3F34E2SG 100% Täze we asyl izolýasiýa güýçlendiriji 1 Zynjyr diferensial 8-SOP aýratyn surat

gysga düşündiriş:

Tamper goragy - gymmatly IP maýa goýumlaryňyzy goramak üçin giňişleýin dizaýn goragy

Hakyky tassyklamak bilen 256 bitli ösen şifrlemek standarty (AES) dizaýn howpsuzlygy

PCIe Gen1, Gen2 ýa-da Gen3 ulanyp protokol (CvP) arkaly konfigurasiýa

Geçirijileriň we PLL-leriň dinamiki konfigurasiýasy

Esasy matanyň inçe däneli bölekleýin konfigurasiýasy

Işjeň seriýa x4 interfeýsi

Bize e-poçta iberiň Sene sahypasyny göçürip al

Haryt maglumatlary

Haryt bellikleri

Önüm aýratynlyklary

RoB RoHS	Gabat gelýän
ECCN (ABŞ)	3A001.a.7.b
Bölümiň ýagdaýy	Işjeň
HTS	8542.39.00.01
Awtoulag	No
PPAP	No
Maşgala ady	Arria® 10 GX
Amal tehnologiýasy	20nm
Ulanyjy I / Os	492
Hasaba alyjylaryň sany	1002160
Işleýiş üpjünçiligi naprýa .eniýesi (V)	0.9
Logika elementleri	660000
Köpeltýänleriň sany	3356 (18x19)
Programmanyň ýat görnüşi	SRAM
Içerki ýat (Kbit)	42660
Blok RAM-yň umumy sany	2133
Enjam logika bölümleri	660000
DLL / PLL-leriň enjam sany	16
Geçiriji kanallar	24
Geçirijiniň tizligi (Gbps)	17.4
Bagyşlanan DSP	1678
PCIe	2
Programmirleme	Hawa
Gaýtadan programma goldawy	Hawa
Gorag nusgasyny göçüriň	Hawa
Ulgamda programma üpjünçiligi	Hawa
Tizlik derejesi	3
-Eke-täk I / O standartlary	LVTTL \| LVCMOS
Daşarky ýat interfeýsi	DDR3 SDRAM \| DDR4 \| LPDDR3 \| RLDRAM II \| RLDRAM III \| QDRII + SRAM
Iň az iş üpjünçiligi naprýa .eniýesi (V)	0.87
Iň ýokary iş üpjünçiligi naprýa .eniýesi (V)	0.93
I / O naprýa .eniýe (V)	1.2 \| 1.25 \| 1.35 \| 1.5 \| 1.8 \| 2.5 \| 3
Iň pes iş temperaturasy (° C)	0
Iň ýokary iş temperaturasy (° C)	100
Üpjün edijiniň temperatura derejesi	Giňeldildi
Söwda ady	Arria
Gurnamak	Faceerüsti dag
Bukjanyň beýikligi	2.63
Bukjanyň giňligi	35
Bukjanyň uzynlygy	35
PCB üýtgedi	1152
Standart paketiň ady	BGA
Üpjün ediji bukjasy	FC-FBGA
Hasaplamak	1152
Gurşun şekili	Top

Toplumlaýyn aýlaw görnüşi

Elektronlar bilen deňeşdirilende, fotonlarda statiki massa ýok, gowşak täsirleşme, güýçli päsgelçilik garşylygy ýok we maglumat geçirmek üçin has amatly.Optiki baglanyşyk, energiýa sarp ediş diwaryny, ammar diwaryny we aragatnaşyk diwaryny döwmek üçin esasy tehnologiýa öwrüler diýlip garaşylýar.Umagtylandyryjy, birleşdiriji, modulýator, tolkun goraýjy enjamlar fotoelektrik integrirlenen mikro ulgam ýaly ýokary dykyzlykly optiki aýratynlyklara birleşdirilip, ýokary dykyzlykly fotoelektrik integrasiýanyň hilini, göwrümini, kuwwatyny sarp edip biler, fotoelektrik integrasiýa platformasy, III - V goşma ýarymgeçiriji monolit integral (INP) ) passiw integrasiýa platformasy, silikat ýa-da aýna (planar optiki tolkun goragçysy, PLC) platformasy we kremniý esasly platforma.

InP platformasy esasan lazer, modulýator, detektor we beýleki işjeň enjamlary öndürmek üçin ulanylýar, pes tehnologiýa derejesi, ýokary substrat bahasy;Passiw komponentleri, pes ýitgini, uly göwrümi öndürmek üçin PLC platformasyny ulanmak;Iki platforma bilen baglanyşykly iň uly mesele, materiallaryň kremniý esasly elektronika bilen gabat gelmezligi.Silikon esasly fotoniki integrasiýanyň iň görnükli artykmaçlygy, bu amalyň CMOS prosesi bilen utgaşmagy we önümçiligiň bahasynyň pes bolmagy, şonuň üçin iň potensial optoelektroniki we hatda ähli optiki integrasiýa shemasy hasaplanýar

Silikon esasly fotonik enjamlar we CMOS zynjyrlary üçin iki integrasiýa usuly bar.

Öňküsiniň artykmaçlygy, fotonik enjamlaryň we elektron enjamlaryň aýratyn optimizirlenmegidir, ýöne indiki gaplamak kyn we täjirçilik programmalary çäklidir.Ikinjisi, iki enjamyň integrasiýasyny taslamak we gaýtadan işlemek kyn.Häzirki wagtda ýadro bölejikleriniň integrasiýasyna esaslanýan gibrid gurnama iň gowy saýlawdyr

Öňki: XCZU19EG-2FFVC1760E 100% Täze we asyl DC DC öwrüjisine we kommutator sazlaýjy çipine

Indiki: LMR16020PDDAR 100% Täze we asyl Bak kommutator IC DC-ni DC öwrüjisine we kommutator sazlaýjy çipine

Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň