BOM sitatasy Elektron komponentleriň sürüjisi IC çip IR2103STRPBF

Önüm aýratynlyklary

Resminamalar we metbugat

Daşky gurşaw we eksport klassifikasiýalary

Derweze sürüjileri

Derwezäniň sürüjisi, gözegçilik ediji IC-den pes güýçli girişi kabul edýän we IGBT ýa-da güýçli MOSFET ýaly ýokary güýçli tranzistoryň derwezesi üçin ýokary tokly giriş girişini öndürýän güýçlendiriji.Derwezäniň sürüjileri çipde ýa-da aýratyn modul hökmünde üpjün edilip bilner.Aslynda, derwezäniň sürüjisi güýçlendiriji bilen utgaşdyrylan derejeli üýtgeýjiden durýar.Derwezäniň sürüjisi IC dolandyryş signallary (sanly ýa-da analog dolandyryjylar) we tok açarlary (IGBTs, MOSFETs, SiC MOSFETs we GaN HEMTs) arasynda interfeýs bolup hyzmat edýär.Integrirlenen derweze sürüjisi çözgüdi, çylşyrymly ýerine ýetirilen derwezeli çözgütleriň ygtybarlylygyny ýokarlandyrmak bilen dizaýn çylşyrymlylygyny, ösüş wagtyny, materiallaryň fakturasyny (BOM) we tagtanyň ýerini azaldar.

Taryh

1989-njy ýylda Halkara düzediji (IR) ilkinji monolit HVIC derweze sürüjisi önümini hödürledi, ýokary woltly integral zynjyr (HVIC) tehnologiýasy, bipolý, CMOS we gapdal DMOS enjamlaryny 700 V we 1400-den ýokary naprýaageseniýeleri birleşdirýän patentlenen we eýeçilik monolit gurluşlaryny ulanýar. 600 V we 1200 V. ofset naprýa .eniýesini işletmek üçin V [2]

Bu garyşyk signally HVIC tehnologiýasyny ulanyp, ýokary woltly derejäni üýtgedýän zynjyrlar we pes woltly analog we sanly zynjyrlar amala aşyrylyp bilner.600 V ýa-da 1200 V, ýokary woltly zynjyry, pes woltly zynjyryň galan ýerlerinden şol bir kremniniň üstünde "ýüzüp" bilýän ýokary woltly zynjyry (polisilikon halkalardan emele gelen "guýyda") goýmak ukyby bilen. kuwwatly MOSFETler ýa-da IGBT-ler, çelek, sinhron güýçlendiriji, ýarym köpri, doly köpri we üç fazaly köp meşhur off-line zynjyr topologiýalarynda bar.Floüzýän wyklýuçateller bilen HVIC derweze sürüjileri ýokary, ýarym köpri we üç fazaly konfigurasiýany talap edýän topologiýalar üçin oňaýlydyr. [3]

Maksat

Munuň tersinebipolýar tranzistorlar, MOSFET-ler açylmasa ýa-da öçürilmese, hemişelik güýç girizilmegini talap etmeýär.MOSFET-iň izolirlenen derwezesi-elektrody akondensator(derwezäniň kondensatory), her gezek MOSFET açylanda ýa-da öçürilende zarýad berilmeli ýa-da boşadylmaly.Tranzistor açmak üçin belli bir derwezäniň naprýa .eniýesini talap edýändigi sebäpli, tranzistoryň açylmagy üçin derwezäniň kondensatoryna iň bolmanda zerur derwezäniň naprýa .eniýesi zarýad berilmelidir.Şonuň ýaly-da, tranzistory öçürmek üçin bu zarýad aýrylmaly, ýagny derwezäniň kondensatory boşadylmaly.

Haçan-da tranzistor açylanda ýa-da öçürilende, derrew geçirijilikden geçiriji ýagdaýa geçmeýär;hem ýokary naprýa .eniýeni wagtlaýyn goldap biler we ýokary tok geçirip biler.Netijede, derwezäniň tok geçmegine sebäp bolmak üçin tranzistora ulanylanda, belli bir derejede ýylylyk emele gelýär, bu käbir ýagdaýlarda tranzistory ýok etmek üçin ýeterlik bolup biler.Şonuň üçin azaltmak üçin kommutasiýa wagtyny mümkin boldugyça gysga saklamalyýitgi[de].Adaty kommutasiýa wagtlary mikrosekuntlaryň aralygynda.Tranzistoryň kommutasiýa wagty mukdaryna ters proporsionaldyrtokderwezäni zarýadlamak üçin ulanylýar.Şonuň üçin toklary üýtgetmek köplenç birnäçe ýüz aralykda talap edilýärmilliamperesýa-da hatda aralygyndaamperler.Adaty derwezäniň naprýa .eniýesi takmynan 10-15V, birnäçewattwyklýuçateli sürmek üçin güýç talap edilip bilner.Uly toklar ýokary ýygylyklarda açylanda, meselemDC-to-DC öwrüjilerýa-da ulyelektrik hereketlendirijileri, ýeterlik ýokary kommutasiýa toklaryny we kommutasiýa güýjüni üpjün etmek üçin käwagt köp tranzistorlar paralel üpjün edilýär.

Tranzistor üçin kommutasiýa signaly adatça logiki zynjyr ýa-da amikrokontrol, adatça birnäçe milliamper tok bilen çäklendirilen çykyş signalyny üpjün edýär.Netijede, şeýle signal bilen gönüden-göni hereket edýän tranzistor, degişlilikde ýokary güýç ýitirilmegi bilen gaty haýal geçer.Geçiş wagtynda tranzistoryň derwezesi kondensatory tok çalt çekip biler, bu bolsa logiki zynjyrda ýa-da mikrokontrolda tokyň aşa köpelmegine sebäp bolup, çipiň hemişelik zaýalanmagyna ýa-da hatda doly ýok edilmegine sebäp bolýar.Munuň ýüze çykmazlygy üçin mikrokontrolyň çykyş signaly bilen tok tranzistorynyň arasynda derwezäniň sürüjisi üpjün edilýär.

Nasoslary güýçlendiriňköplenç ulanylýarH-köprülerýokary tarapdaky n-kanaly sürýän derwezäniň ýokary sürüjilerindekuwwatly MOSFETlerweIGBT.Bu enjamlar gowy öndürijiligi sebäpli ulanylýar, ýöne elektrik demirýolundan birnäçe woltlyk derwezäniň naprýa .eniýesini talap edýär.Bridgearym köpriniň merkezi peselende, kondensator diod arkaly zarýad alýar we bu zarýad soňra ýokary tarapdaky FET derwezesiniň çeşmesini ýa-da emitter pininiň naprýa .eniýesini açmak üçin birneme wolt sürmek üçin ulanylýar.Bu strategiýa köpriniň yzygiderli çalşylmagy we aýratyn elektrik üpjünçiliginiň işlemeginiň çylşyrymlylygynyň öňüni almak we has täsirli n-kanal enjamlarynyň ýokary we pes wyklýuçateller üçin ulanylmagyna rugsat bermek şerti bilen gowy işleýär.