BSZ060NE2LS IC Çip Iň ýokary bahada ýokary hilli täze özboluşly integral zynjyr
Önüm aýratynlyklary
| TYPE | Düşündiriş |
| Kategoriýa | Diskret ýarymgeçiriji önümlerTranzistorlar - FET, MOSFET - leeke |
| Mfr | Infineon tehnologiýalary |
| Seriýa | OptiMOS ™ |
| Bukja | Lenta we makara (TR)Lentany kesiň (CT) Digi-Reel® |
| Önümiň ýagdaýy | Işjeň |
| FET görnüşi | N-Kanal |
| Tehnologiýa | MOSFET (metal oksidi) |
| Çeşme naprýa toeniýesine drena ((Vdss) | 25 V. |
| Häzirki - üznüksiz zeýkeş (Id) @ 25 ° C. | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| Sürüjiniň naprýa .eniýesi (Maks Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Maks) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (üçünji) (Maks) @ Id | 2V @ 250µA |
| Derwezäniň zarýady (Qg) (Maks) @ Vgs | 9.1 nC @ 10 V. |
| Vgs (Maks) | ± 20V |
| Giriş ukyby (Ciss) (Maks) @ Vds | 670 pF @ 12 V. |
| FET aýratynlygy | - |
| Kuwwatyň ýaýramagy (Maks) | 2.1W (Ta), 26W (Tc) |
| Işleýiş temperaturasy | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| Gurnama görnüşi | Faceerüsti dag |
| Üpjün ediji enjam bukjasy | PG-TSDSON-8-FL |
| Bukja / gap | 8-PowerTDFN |
| Esasy önümiň belgisi | BSZ060 |
Resminamalar we metbugat
| Resurs görnüşi | LINK |
| Maglumatlar sahypalary | BSZ060NE2LS |
| Beýleki baglanyşykly resminamalar | Bölüm belgisi gollanmasy |
| Aýratyn önüm | Maglumatlary gaýtadan işlemek ulgamlary |
| EDA modelleri | Ultra Kitaphanaçy tarapyndan BSZ060NE2LSATMA1SnapEDA tarapyndan BSZ060NE2LS |
| Simulýasiýa modelleri | MOSFET OptiMOS ™ 25V N-kanal spice modeli |
Daşky gurşaw we eksport klassifikasiýalary
| ATTRIBUTE | Düşündiriş |
| RoHS ýagdaýy | ROHS3 laýyk |
| Çyglylyga duýgurlyk derejesi (MSL) | 1 (Çäklendirilmedik) |
| REagdaý | Täsir etmäň |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Goşmaça çeşmeler
| ATTRIBUTE | Düşündiriş |
| Beýleki atlar | BSZ060NE2LSBSZ060NE2LS-ND BSZ060NE2LSATMA1CT BSZ060NE2LSDKR-ND SP000776122 BSZ060NE2LSCT-ND BSZ060NE2LSTR-ND BSZ060NE2LSATMA1DKR BSZ060NE2LSDKR BSZ060NE2LSATMA1TR BSZ060NE2LSCT |
| Standart paket | 5000 |
Tranzistor ýarymgeçiriji enjam bolup, güýçlendirijilerde ýa-da elektroniki dolandyrylýan wyklýuçatellerde köplenç ulanylýar.Tranzistorlar kompýuterleriň, jübi telefonlarynyň we beýleki ähli häzirki zaman elektron zynjyrlarynyň işini kadalaşdyrýan esasy gurluş bloklarydyr.
Çalt jogap tizligi we ýokary takyklygy sebäpli tranzistorlar güýçlendirmek, kommutasiýa, wolt sazlaýjy, signal modulýasiýa we yrgyldama ýaly köp sanly we analog funksiýalar üçin ulanylyp bilner.Tranzistorlar aýratynlykda ýa-da integral zynjyryň bir bölegi hökmünde 100 million ýa-da has köp tranzistor saklap bilýän gaty kiçi ýerde gaplanyp bilner.
Elektron turba bilen deňeşdirilende tranzistoryň köp artykmaçlygy bar:
1.Komponentiň sarp etmesi ýok
Turba näçe gowy bolsa-da, katod atomlarynyň üýtgemegi we dowamly howanyň syzmagy sebäpli kem-kemden ýaramazlaşar.Tehniki sebäplere görä, tranzistorlar ilkinji gezek ýasalanda şol bir kynçylyk çekýärdi.Materiallaryň ösüşi we köp tarapdan gowulaşmagy bilen tranzistorlar adatça elektron turbalardan 100-1000 esse uzak dowam edýär.
2.Gaty az sarp ediň
Elektron turbanyň diňe ondan biri ýa-da onlarçasy.Elektron turba ýaly erkin elektron öndürmek üçin süzgüç gyzdyrmagyň zerurlygy ýok.Tranzistor radio, ýylda alty aý diňlemek üçin diňe birnäçe gury batareýa gerek, bu turba radio üçin etmek kyn.
3.Haýsy gyzdyrmaly däl
Ony açanyňyzdan soň işläň.Mysal üçin, tranzistor radio açylan badyna öçýär we tranzistor teleýaýlymy açylan badyna surat düzýär.Wakuum turba enjamlary muny edip bilmeýär.Bootüklenenden soň, sesi eşitmek üçin biraz garaşyň, surata serediň.Harby, ölçeg, ýazgy we ş.m. tranzistorlaryň gaty amatlydygy düşnüklidir.
4. Güýçli we ygtybarly
Elektron turbasy bilen deňeşdirip bolmaýan elektron turbasyndan 100 esse ygtybarly, şok garşylygy, yrgyldy garşylygy.Mundan başga-da, tranzistoryň ululygy elektron turbanyň ululygynyň ondan birinden ýüzden bir bölegine çenli, gaty az ýylylyk çykaryjy, kiçi, çylşyrymly, ygtybarly zynjyrlary taslamak üçin ulanylyp bilner.Tranzistoryň önümçilik prosesi takyk bolsa-da, komponentleriň gurnama dykyzlygyny ýokarlandyrmaga amatly proses ýönekeý.
