Elektron komponentler IC çipleri Integrirlenen zynjyrlar IC TPS74701QDRCRQ1 bir ýer satyn alýar

Wafli bilen çipleriň arasyndaky baglanyşyk

Wafli syn

Wafli bilen çipleriň arasyndaky baglanyşyga düşünmek üçin aşakda wafli we çip bilimleriniň esasy elementlerine syn berilýär.

(i) Wafli näme

Wafli, kremniý ýarymgeçiriji integral zynjyrlary öndürmekde ulanylýan kremniý wafli, tegelek görnüşi sebäpli wafli diýilýär;dürli zynjyr böleklerini emele getirmek we belli bir elektrik funksiýalary bilen toplumlaýyn zynjyr önümlerine öwrülmek üçin kremniý wafli bilen gaýtadan işlenip bilner.Wafli üçin çig mal kremniý bolup, ýer gabygynyň üstünde kremniniň dioksidiniň tükeniksiz üpjünçiligi bar.Silikon dioksid magdany elektrik ark peçlerinde arassalanýar, gidroklor kislotasy bilen hlorlanýar we arassalygy 99.99999999999% bolan ýokary arassa polisilikon öndürmek üçin distillendirilýär.

(ii) wafli üçin esasy çig mal

Silikon kwars çägesinden arassalanýar we wafli kremniý elementinden arassalanýar (99,999%), soňra bolsa integral zynjyrlar üçin kwars ýarymgeçirijileriniň materialyna öwrülýän kremniý çybyklara öwrülýär.

(iii) Wafli önümçilik prosesi

Wafli ýarymgeçiriji çipleri öndürmek üçin esasy materialdyr.Ondarymgeçirijiniň integral zynjyrlary üçin iň möhüm çig mal kremnidir we şonuň üçin kremniý wafli bilen gabat gelýär.

Silikon tebigatda silikatlar ýa-da gaýalarda we çagyllarda kremniniň dioksidi görnüşinde giňden duş gelýär.Silikon wafli önümçiligini üç esasy ädimde jemläp bolar: kremnini arassalamak we arassalamak, ýeke kristal kremniniň ösmegi we wafli emele getirmek.

Birinjisi, çäge we çagyl çig malyny takmynan 2000 ° C temperaturada we uglerod çeşmesiniň barlygynda elektrik arkasy peçine salýan kremnini arassalamakdyr.Highokary temperaturada gum we çagyldaky uglerod we kremniniň dioksidi himiki reaksiýany başdan geçirýär (uglerod kislorod bilen birleşýär, kremnini galdyrýar) 98% arassalygy bilen arassa kremnini almak üçin metallurgiýa derejeli kremniý diýlip hem bilinýär. mikroelektron enjamlary üçin ýeterlik arassa, sebäbi ýarymgeçiriji materiallaryň elektrik aýratynlyklary hapalaryň konsentrasiýasyna gaty duýgur.Şonuň üçin metallurgiýa derejeli kremniý hasam arassalanýar: ezilen metallurgiýa derejeli kremniý, suwuk silan öndürmek üçin gazly wodorod hloridi bilen hlorlaşma reaksiýasyna sezewar bolýar, arassalygy 99.99999999999 arassalygy bilen ýokary arassa polikristally kremnini öndürýän proses bilen distillendirilýär we himiki taýdan azalýar. elektron derejeli kremniý bolýar.

Ondan soň göni çekmek (CZ usuly) diýilýän iň köp ýaýran usul monokristally kremniniň ösüşi gelýär.Aşakdaky diagrammada görkezilişi ýaly ýokary arassa polisilikon kwarsda ýerleşdirilýär we daşyny gurşap alýan grafit gyzdyryjy bilen yzygiderli gyzdyrylýar, takmynan 1400 ° C temperaturany saklaýar.Ojakdaky gaz adatça inert bolup, polisilikonyň islenmeýän himiki reaksiýalary döretmezden eremegine mümkinçilik berýär.Singleeke kristallary emele getirmek üçin kristallaryň ugruna-da gözegçilik edilýär: iň möhümi polisilikon eremesi bilen aýlanýar, tohum kristalyna çümdürilýär we çyzgy hasasy tersine we dikligine ýokaryk çekilende ters tarapa geçirilýär. kremniniň eremegi.Eredilen polisilikon tohum kristalynyň düýbüne ýapyşýar we tohum kristalynyň panjarasynyň ugry boýunça ýokaryk ösýär.