IPD068P03L3G täze özboluşly elektron komponentleri IC çip MCU BOM hyzmaty IPD068P03L3G

gysga düşündiriş:

Bize e-poçta iberiň Sene sahypasyny göçürip al

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Önüm aýratynlyklary

TYPE	Düşündiriş
Kategoriýa	Diskret ýarymgeçiriji önümler Tranzistorlar - FET, MOSFET - leeke
Mfr	Infineon tehnologiýalary
Seriýa	OptiMOS ™
Bukja	Lenta we makara (TR) Lentany kesiň (CT) Digi-Reel®
Önümiň ýagdaýy	Işjeň
FET görnüşi	P-Kanal
Tehnologiýa	MOSFET (metal oksidi)
Çeşme naprýa toeniýesine drena ((Vdss)	30 V.
Häzirki - üznüksiz zeýkeş (Id) @ 25 ° C.	70A (Tc)
Sürüjiniň naprýa .eniýesi (Maks Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 70A, 10V
Vgs (üçünji) (Maks) @ Id	2V @ 150µA
Derwezäniň zarýady (Qg) (Maks) @ Vgs	91 nC @ 10 V.
Vgs (Maks)	± 20V
Giriş ukyby (Ciss) (Maks) @ Vds	7720 pF @ 15 V.
FET aýratynlygy	-
Kuwwatyň ýaýramagy (Maks)	100W (Tc)
Işleýiş temperaturasy	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Gurnama görnüşi	Faceerüsti dag
Üpjün ediji enjam bukjasy	PG-TO252-3
Bukja / gap	TO-252-3, DPak (2 öňdebaryjy + Tab), SC-63
Esasy önümiň belgisi	IPD068

Resminamalar we metbugat

Resurs görnüşi	LINK
Maglumatlar sahypalary	IPD068P03L3 G.
Beýleki baglanyşykly resminamalar	Bölüm belgisi gollanmasy
Aýratyn önüm	Maglumatlary gaýtadan işlemek ulgamlary
HTML maglumat tablisasy	IPD068P03L3 G.
EDA modelleri	Ultra Kitaphanaçy tarapyndan IPD068P03L3GATMA1

Daşky gurşaw we eksport klassifikasiýalary

ATTRIBUTE	Düşündiriş
RoHS ýagdaýy	ROHS3 laýyk
Çyglylyga duýgurlyk derejesi (MSL)	1 (Çäklendirilmedik)
REagdaý	Täsir etmäň
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Goşmaça çeşmeler

ATTRIBUTE

Düşündiriş

Beýleki atlar

IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Standart paket

2500

Tranzistor

Tranzistor aýarymgeçiriji enjamöwrenişdigüýçlendiriňýa-dawyklýuçatelelektrik signallary wekuwwat.Tranzistor häzirki zaman gurluşynyň esasy böleklerinden biridirelektronika.[1]Ondan ybaratýarymgeçiriji material, köplenç azyndan üç bilenterminallarelektron zynjyryna birikmek üçin.A.naprýa .eniýeýa-datoktranzistor terminallarynyň bir jübütine ulanylýan, başga bir jübüt terminal arkaly toky dolandyrýar.Dolandyryş (çykyş) güýji dolandyryş (giriş) güýjünden has ýokary bolup bilýändigi sebäpli, tranzistor signaly güýçlendirip biler.Käbir tranzistorlar aýratyn gaplanýar, ýöne başga-da köpüsi ýerleşdirilenintegral zynjyrlar.

Awstro-Wengriýa fizik Julius Edgar Lilienfelddüşünjesini teklip etdimeýdan täsirli tranzistor1926-njy ýylda, ýöne şol döwürde işleýän enjamy gurmak mümkin däldi.[2]Gurlan ilkinji iş enjamy anokat kontakt tranzistoryAmerikaly fizikler tarapyndan 1947-nji ýylda oýlanyp tapyldyJon BardeenweWalter Brattainastynda işleýärkäWilliam ŞokliatBell laboratoriýasy.Üçüsi 1956-njy ýylda paýlaşdyFizika boýunça Nobel baýragygazananlary üçin.[3]Iň köp ulanylýan tranzistor görnüşimetal - oksid - ýarymgeçiriji meýdan effektli tranzistor(MOSFET) tarapyndan oýlanyp tapyldyMuhammet AtallaweDawon Kahng1959-njy ýylda Bell Labs-da.[4][5][6]Tranzistorlar elektronika pudagyny öwrüldiler we has kiçi we arzan ýol açdylarradiolar,kalkulýatorlary, wekompýuterler, beýleki zatlaryñ arasynda.

Tranzistorlaryň köpüsi gaty arassakremniýwe käbirlerindenGermaniýa, ýöne käbir beýleki ýarymgeçiriji materiallar käwagt ulanylýar.Tranzistorda diňe bir görnüşli zarýad göterijisi, meýdan täsirli tranzistorda ýa-da iki görnüşli zarýad göterijisi bolup biler.bipolýar çatryk tranzistorenjamlary.Bilen deňeşdirilendevakuum turbasy, tranzistorlar köplenç kiçi we işlemek üçin az güýç talap edýärler.Käbir vakuum turbalary gaty ýokary işleýiş ýygylyklarynda ýa-da ýokary iş naprýa .eniýesinde tranzistorlardan artykmaçlyga eýe.Tranzistorlaryň köp görnüşi, köp öndürijiler tarapyndan standartlaşdyrylan spesifikasiýalara ýasalýar.

Öňki: IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Çip täze elektron komponenti

Indiki: AQX IRF7416TRPBF Täze we özboluşly integrirlenen aýlaw ic çipi IRF7416TRPBF

Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň