IPD135N08N3G Marka täze integral zynjyr
Önüm aýratynlyklary
| TYPE | Düşündiriş |
| Kategoriýa | Diskret ýarymgeçiriji önümler |
| Mfr | Infineon tehnologiýalary |
| Seriýa | OptiMOS ™ |
| Bukja | Lenta we makara (TR) |
| Önümiň ýagdaýy | Könelişen |
| FET görnüşi | N-Kanal |
| Tehnologiýa | MOSFET (metal oksidi) |
| Çeşme naprýa toeniýesine drena ((Vdss) | 80 V. |
| Häzirki - üznüksiz zeýkeş (Id) @ 25 ° C. | 45A (Tc) |
| Sürüjiniň naprýa .eniýesi (Maks Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Maks) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 45A, 10V |
| Vgs (üçünji) (Maks) @ Id | 3.5V @ 33µA |
| Derwezäniň zarýady (Qg) (Maks) @ Vgs | 25 nC @ 10 V. |
| Vgs (Maks) | ± 20V |
| Giriş ukyby (Ciss) (Maks) @ Vds | 1730 pF @ 40 V. |
| FET aýratynlygy | - |
| Kuwwatyň ýaýramagy (Maks) | 79W (Tc) |
| Işleýiş temperaturasy | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| Gurnama görnüşi | Faceerüsti dag |
| Üpjün ediji enjam bukjasy | PG-TO252-3 |
| Bukja / gap | TO-252-3, DPak (2 öňdebaryjy + Tab), SC-63 |
| Esasy önümiň belgisi | IPD135N |
Resminamalar we metbugat
| Resurs görnüşi | LINK |
| Maglumatlar sahypalary | IPD135N08N3G |
| Beýleki baglanyşykly resminamalar | Bölüm belgisi gollanmasy |
| Aýratyn önüm | Maglumatlary gaýtadan işlemek ulgamlary |
| HTML maglumat tablisasy | IPD135N08N3G |
Daşky gurşaw we eksport klassifikasiýalary
| ATTRIBUTE | Düşündiriş |
| Çyglylyga duýgurlyk derejesi (MSL) | 1 (Çäklendirilmedik) |
| REagdaý | Täsir etmäň |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Goşmaça çeşmeler
| ATTRIBUTE | Düşündiriş |
| Beýleki atlar | SP000454266 IPD135N08N3GBTMA1TR IPD135N08N3 G. IPD135N08N3 G-ND |
| Standart paket | 2500 |
Tranzistor ýarymgeçiriji enjam bolup, güýçlendirijilerde ýa-da elektroniki dolandyrylýan wyklýuçatellerde köplenç ulanylýar.Tranzistorlar kompýuterleriň, jübi telefonlarynyň we beýleki ähli häzirki zaman elektron zynjyrlarynyň işini kadalaşdyrýan esasy gurluş bloklarydyr.
Çalt jogap tizligi we ýokary takyklygy sebäpli tranzistorlar güýçlendirmek, kommutasiýa, wolt sazlaýjy, signal modulýasiýa we yrgyldama ýaly köp sanly we analog funksiýalar üçin ulanylyp bilner.Tranzistorlar aýratynlykda ýa-da integral zynjyryň bir bölegi hökmünde 100 million ýa-da has köp tranzistor saklap bilýän gaty kiçi ýerde gaplanyp bilner.
Elektron turba bilen deňeşdirilende tranzistoryň köp artykmaçlygy bar:
Komponentiň sarp etmesi ýok
Turba näçe gowy bolsa-da, katod atomlarynyň üýtgemegi we dowamly howanyň syzmagy sebäpli kem-kemden ýaramazlaşar.Tehniki sebäplere görä, tranzistorlar ilkinji gezek ýasalanda şol bir kynçylyk çekýärdi.Materiallaryň ösüşi we köp tarapdan gowulaşmagy bilen tranzistorlar adatça elektron turbalardan 100-1000 esse uzak dowam edýär.
Kuwwaty gaty az sarp ediň
Elektron turbanyň diňe ondan biri ýa-da onlarçasy.Elektron turba ýaly erkin elektron öndürmek üçin süzgüç gyzdyrmagyň zerurlygy ýok.Tranzistor radio, ýylda alty aý diňlemek üçin diňe birnäçe gury batareýa gerek, bu turba radio üçin etmek kyn.
Gyzdyrmagyň zerurlygy ýok
Ony açanyňyzdan soň işläň.Mysal üçin, tranzistor radio açylan badyna öçýär we tranzistor teleýaýlymy açylan badyna surat düzýär.Wakuum turba enjamlary muny edip bilmeýär.Bootüklenenden soň, sesi eşitmek üçin biraz garaşyň, surata serediň.Harby, ölçeg, ýazgy we ş.m. tranzistorlaryň gaty amatlydygy düşnüklidir.
Güýçli we ygtybarly
Elektron turbasy bilen deňeşdirip bolmaýan elektron turbasyndan 100 esse ygtybarly, şok garşylygy, yrgyldy garşylygy.Mundan başga-da, tranzistoryň ululygy elektron turbanyň ululygynyň ondan birinden ýüzden bir bölegine çenli, gaty az ýylylyk çykaryjy, kiçi, çylşyrymly, ygtybarly zynjyrlary taslamak üçin ulanylyp bilner.Tranzistoryň önümçilik prosesi takyk bolsa-da, komponentleriň gurnama dykyzlygyny ýokarlandyrmaga amatly proses ýönekeý.
