sargyt_bg

önümleri

IPD135N08N3G Marka täze integral zynjyr

gysga düşündiriş:


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Önüm aýratynlyklary

TYPE Düşündiriş
Kategoriýa Diskret ýarymgeçiriji önümler

Tranzistorlar - FET, MOSFET - leeke

Mfr Infineon tehnologiýalary
Seriýa OptiMOS ™
Bukja Lenta we makara (TR)
Önümiň ýagdaýy Könelişen
FET görnüşi N-Kanal
Tehnologiýa MOSFET (metal oksidi)
Çeşme naprýa toeniýesine drena ((Vdss) 80 V.
Häzirki - üznüksiz zeýkeş (Id) @ 25 ° C. 45A (Tc)
Sürüjiniň naprýa .eniýesi (Maks Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 45A, 10V
Vgs (üçünji) (Maks) @ Id 3.5V @ 33µA
Derwezäniň zarýady (Qg) (Maks) @ Vgs 25 nC @ 10 V.
Vgs (Maks) ± 20V
Giriş ukyby (Ciss) (Maks) @ Vds 1730 pF @ 40 V.
FET aýratynlygy -
Kuwwatyň ýaýramagy (Maks) 79W (Tc)
Işleýiş temperaturasy -55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Gurnama görnüşi Faceerüsti dag
Üpjün ediji enjam bukjasy PG-TO252-3
Bukja / gap TO-252-3, DPak (2 öňdebaryjy + Tab), SC-63
Esasy önümiň belgisi IPD135N

Resminamalar we metbugat

Resurs görnüşi LINK
Maglumatlar sahypalary IPD135N08N3G
Beýleki baglanyşykly resminamalar Bölüm belgisi gollanmasy
Aýratyn önüm Maglumatlary gaýtadan işlemek ulgamlary
HTML maglumat tablisasy IPD135N08N3G

Daşky gurşaw we eksport klassifikasiýalary

ATTRIBUTE Düşündiriş
Çyglylyga duýgurlyk derejesi (MSL) 1 (Çäklendirilmedik)
REagdaý Täsir etmäň
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Goşmaça çeşmeler

ATTRIBUTE Düşündiriş
Beýleki atlar SP000454266

IPD135N08N3GBTMA1TR

IPD135N08N3 G.

IPD135N08N3 G-ND

Standart paket 2500

Tranzistor ýarymgeçiriji enjam bolup, güýçlendirijilerde ýa-da elektroniki dolandyrylýan wyklýuçatellerde köplenç ulanylýar.Tranzistorlar kompýuterleriň, jübi telefonlarynyň we beýleki ähli häzirki zaman elektron zynjyrlarynyň işini kadalaşdyrýan esasy gurluş bloklarydyr.

Çalt jogap tizligi we ýokary takyklygy sebäpli tranzistorlar güýçlendirmek, kommutasiýa, wolt sazlaýjy, signal modulýasiýa we yrgyldama ýaly köp sanly we analog funksiýalar üçin ulanylyp bilner.Tranzistorlar aýratynlykda ýa-da integral zynjyryň bir bölegi hökmünde 100 million ýa-da has köp tranzistor saklap bilýän gaty kiçi ýerde gaplanyp bilner.

Elektron turba bilen deňeşdirilende tranzistoryň köp artykmaçlygy bar:

Komponentiň sarp etmesi ýok

Turba näçe gowy bolsa-da, katod atomlarynyň üýtgemegi we dowamly howanyň syzmagy sebäpli kem-kemden ýaramazlaşar.Tehniki sebäplere görä, tranzistorlar ilkinji gezek ýasalanda şol bir kynçylyk çekýärdi.Materiallaryň ösüşi we köp tarapdan gowulaşmagy bilen tranzistorlar adatça elektron turbalardan 100-1000 esse uzak dowam edýär.

Kuwwaty gaty az sarp ediň

Elektron turbanyň diňe ondan biri ýa-da onlarçasy.Elektron turba ýaly erkin elektron öndürmek üçin süzgüç gyzdyrmagyň zerurlygy ýok.Tranzistor radio, ýylda alty aý diňlemek üçin diňe birnäçe gury batareýa gerek, bu turba radio üçin etmek kyn.

Gyzdyrmagyň zerurlygy ýok

Ony açanyňyzdan soň işläň.Mysal üçin, tranzistor radio açylan badyna öçýär we tranzistor teleýaýlymy açylan badyna surat düzýär.Wakuum turba enjamlary muny edip bilmeýär.Bootüklenenden soň, sesi eşitmek üçin biraz garaşyň, surata serediň.Harby, ölçeg, ýazgy we ş.m. tranzistorlaryň gaty amatlydygy düşnüklidir.

Güýçli we ygtybarly

Elektron turbasy bilen deňeşdirip bolmaýan elektron turbasyndan 100 esse ygtybarly, şok garşylygy, yrgyldy garşylygy.Mundan başga-da, tranzistoryň ululygy elektron turbanyň ululygynyň ondan birinden ýüzden bir bölegine çenli, gaty az ýylylyk çykaryjy, kiçi, çylşyrymly, ygtybarly zynjyrlary taslamak üçin ulanylyp bilner.Tranzistoryň önümçilik prosesi takyk bolsa-da, komponentleriň gurnama dykyzlygyny ýokarlandyrmaga amatly proses ýönekeý.


  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň