sargyt_bg

önümleri

AQX IRF7416TRPBF Täze we özboluşly integrirlenen aýlaw ic çipi IRF7416TRPBF

gysga düşündiriş:


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Önüm aýratynlyklary

TYPE Düşündiriş
Kategoriýa Diskret ýarymgeçiriji önümler

Tranzistorlar - FET, MOSFET - leeke

Mfr Infineon tehnologiýalary
Seriýa HEXFET®
Bukja Lenta we makara (TR)

Lentany kesiň (CT)

Digi-Reel®

Önümiň ýagdaýy Işjeň
FET görnüşi P-Kanal
Tehnologiýa MOSFET (metal oksidi)
Çeşme naprýa toeniýesine drena ((Vdss) 30 V.
Häzirki - üznüksiz zeýkeş (Id) @ 25 ° C. 10A (Ta)
Sürüjiniň naprýa .eniýesi (Maks Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (üçünji) (Maks) @ Id 1V @ 250µA
Derwezäniň zarýady (Qg) (Maks) @ Vgs 92 nC @ 10 V.
Vgs (Maks) ± 20V
Giriş ukyby (Ciss) (Maks) @ Vds 1700 pF @ 25 V.
FET aýratynlygy -
Kuwwatyň ýaýramagy (Maks) 2.5W (Ta)
Işleýiş temperaturasy -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Gurnama görnüşi Faceerüsti dag
Üpjün ediji enjam bukjasy 8-SO
Bukja / gap 8-SOIC (0,154 ″, ini 3,90mm)
Esasy önümiň belgisi IRF7416

Resminamalar we metbugat

Resurs görnüşi LINK
Maglumatlar sahypalary IRF7416PbF
Beýleki baglanyşykly resminamalar IR bölek belgileri ulgamy
Önüm okuw modullary Volokary woltly integral zynjyrlar (HVIC derweze sürüjileri)

Diskret güýç MOSFET 40V we aşakda

Aýratyn önüm Maglumatlary gaýtadan işlemek ulgamlary
HTML maglumat tablisasy IRF7416PbF
EDA modelleri Ultra Kitaphanaçy tarapyndan IRF7416TRPBF
Simulýasiýa modelleri IRF7416PBF Saber modeli

Daşky gurşaw we eksport klassifikasiýalary

ATTRIBUTE Düşündiriş
RoHS ýagdaýy ROHS3 laýyk
Çyglylyga duýgurlyk derejesi (MSL) 1 (Çäklendirilmedik)
REagdaý Täsir etmäň
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Goşmaça çeşmeler

ATTRIBUTE Düşündiriş
Beýleki atlar IRF7416TRPBFDKR

SP001554262

IRF7416TRPBFCT

IRF7416TRPBF-ND

IRF7416TRPBFTR

Standart paket 4000

IRF7416

Peýdalary
Giň SOA üçin öýjükli gurluş
Paýlaýyş hyzmatdaşlaryndan iň giň elýeterlilik üçin amatly
JEDEC standartyna laýyklykda önümiň kwalifikasiýasy
Silikon <100KHz-den aşakda geçýän programmalar üçin optimallaşdyryldy
Senagat standart ýerüsti gurnama güýç bukjasy
Tolkun bilen lehimlenmäge ukyply
SO-8 paketinde ýeke P-kanal HEXFET Power MOSFET
Peýdalary
RoHS laýyk
Pes RDS (açyk)
Senagatda öňdebaryjy hil
Dinamiki dv / dt Reýting
Çalt çalyşmak
Güýç doly
175 ° C Işleýiş temperaturasy
P-Kanal MOSFET

Tranzistor

Tranzistor aýarymgeçiriji enjamöwrenişdigüýçlendiriňýa-dawyklýuçatelelektrik signallary wekuwwat.Tranzistor häzirki zaman gurluşynyň esasy böleklerinden biridirelektronika.[1]Ondan ybaratýarymgeçiriji material, köplenç azyndan üç bilenterminallarelektron zynjyryna birikmek üçin.A.naprýa .eniýeýa-datoktranzistor terminallarynyň bir jübütine ulanylýan, başga bir jübüt terminal arkaly toky dolandyrýar.Dolandyryş (çykyş) güýji dolandyryş (giriş) güýjünden has ýokary bolup bilýändigi sebäpli, tranzistor signaly güýçlendirip biler.Käbir tranzistorlar aýratyn gaplanýar, ýöne başga-da köpüsi ýerleşdirilenintegral zynjyrlar.

Awstro-Wengriýa fizik Julius Edgar Lilienfelddüşünjesini teklip etdimeýdan täsirli tranzistor1926-njy ýylda, ýöne şol döwürde işleýän enjamy gurmak mümkin däldi.[2]Gurlan ilkinji iş enjamy anokat kontakt tranzistoryAmerikaly fizikler tarapyndan 1947-nji ýylda oýlanyp tapyldyJon BardeenweWalter Brattainastynda işleýärkäWilliam ŞokliatBell laboratoriýasy.Üçüsi 1956-njy ýylda paýlaşdyFizika boýunça Nobel baýragygazananlary üçin.[3]Iň köp ulanylýan tranzistor görnüşimetal - oksid - ýarymgeçiriji meýdan effektli tranzistor(MOSFET) tarapyndan oýlanyp tapyldyMuhammet AtallaweDawon Kahng1959-njy ýylda Bell Labs-da.[4][5][6]Tranzistorlar elektronika pudagyny öwrüldiler we has kiçi we arzan ýol açdylarradiolar,kalkulýatorlary, wekompýuterler, beýleki zatlaryñ arasynda.

Tranzistorlaryň köpüsi gaty arassakremniýwe käbirlerindenGermaniýa, ýöne käbir beýleki ýarymgeçiriji materiallar käwagt ulanylýar.Tranzistorda diňe bir görnüşli zarýad göterijisi, meýdan täsirli tranzistorda ýa-da iki görnüşli zarýad göterijisi bolup biler.bipolýar çatryk tranzistorenjamlary.Bilen deňeşdirilendevakuum turbasy, tranzistorlar köplenç kiçi we işlemek üçin az güýç talap edýärler.Käbir vakuum turbalary gaty ýokary işleýiş ýygylyklarynda ýa-da ýokary iş naprýa .eniýesinde tranzistorlardan artykmaçlyga eýe.Tranzistorlaryň köp görnüşi, köp öndürijiler tarapyndan standartlaşdyrylan spesifikasiýalara ýasalýar.


  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň