AQX IRF7416TRPBF Täze we özboluşly integrirlenen aýlaw ic çipi IRF7416TRPBF
Önüm aýratynlyklary
TYPE | Düşündiriş |
Kategoriýa | Diskret ýarymgeçiriji önümler |
Mfr | Infineon tehnologiýalary |
Seriýa | HEXFET® |
Bukja | Lenta we makara (TR) Lentany kesiň (CT) Digi-Reel® |
Önümiň ýagdaýy | Işjeň |
FET görnüşi | P-Kanal |
Tehnologiýa | MOSFET (metal oksidi) |
Çeşme naprýa toeniýesine drena ((Vdss) | 30 V. |
Häzirki - üznüksiz zeýkeş (Id) @ 25 ° C. | 10A (Ta) |
Sürüjiniň naprýa .eniýesi (Maks Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Maks) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (üçünji) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
Derwezäniň zarýady (Qg) (Maks) @ Vgs | 92 nC @ 10 V. |
Vgs (Maks) | ± 20V |
Giriş ukyby (Ciss) (Maks) @ Vds | 1700 pF @ 25 V. |
FET aýratynlygy | - |
Kuwwatyň ýaýramagy (Maks) | 2.5W (Ta) |
Işleýiş temperaturasy | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
Gurnama görnüşi | Faceerüsti dag |
Üpjün ediji enjam bukjasy | 8-SO |
Bukja / gap | 8-SOIC (0,154 ″, ini 3,90mm) |
Esasy önümiň belgisi | IRF7416 |
Resminamalar we metbugat
Resurs görnüşi | LINK |
Maglumatlar sahypalary | IRF7416PbF |
Beýleki baglanyşykly resminamalar | IR bölek belgileri ulgamy |
Önüm okuw modullary | Volokary woltly integral zynjyrlar (HVIC derweze sürüjileri) |
Aýratyn önüm | Maglumatlary gaýtadan işlemek ulgamlary |
HTML maglumat tablisasy | IRF7416PbF |
EDA modelleri | Ultra Kitaphanaçy tarapyndan IRF7416TRPBF |
Simulýasiýa modelleri | IRF7416PBF Saber modeli |
Daşky gurşaw we eksport klassifikasiýalary
ATTRIBUTE | Düşündiriş |
RoHS ýagdaýy | ROHS3 laýyk |
Çyglylyga duýgurlyk derejesi (MSL) | 1 (Çäklendirilmedik) |
REagdaý | Täsir etmäň |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Goşmaça çeşmeler
ATTRIBUTE | Düşündiriş |
Beýleki atlar | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
Standart paket | 4000 |
IRF7416
Peýdalary
Giň SOA üçin öýjükli gurluş
Paýlaýyş hyzmatdaşlaryndan iň giň elýeterlilik üçin amatly
JEDEC standartyna laýyklykda önümiň kwalifikasiýasy
Silikon <100KHz-den aşakda geçýän programmalar üçin optimallaşdyryldy
Senagat standart ýerüsti gurnama güýç bukjasy
Tolkun bilen lehimlenmäge ukyply
SO-8 paketinde ýeke P-kanal HEXFET Power MOSFET
Peýdalary
RoHS laýyk
Pes RDS (açyk)
Senagatda öňdebaryjy hil
Dinamiki dv / dt Reýting
Çalt çalyşmak
Güýç doly
175 ° C Işleýiş temperaturasy
P-Kanal MOSFET
Tranzistor
Tranzistor aýarymgeçiriji enjamöwrenişdigüýçlendiriňýa-dawyklýuçatelelektrik signallary wekuwwat.Tranzistor häzirki zaman gurluşynyň esasy böleklerinden biridirelektronika.[1]Ondan ybaratýarymgeçiriji material, köplenç azyndan üç bilenterminallarelektron zynjyryna birikmek üçin.A.naprýa .eniýeýa-datoktranzistor terminallarynyň bir jübütine ulanylýan, başga bir jübüt terminal arkaly toky dolandyrýar.Dolandyryş (çykyş) güýji dolandyryş (giriş) güýjünden has ýokary bolup bilýändigi sebäpli, tranzistor signaly güýçlendirip biler.Käbir tranzistorlar aýratyn gaplanýar, ýöne başga-da köpüsi ýerleşdirilenintegral zynjyrlar.
Awstro-Wengriýa fizik Julius Edgar Lilienfelddüşünjesini teklip etdimeýdan täsirli tranzistor1926-njy ýylda, ýöne şol döwürde işleýän enjamy gurmak mümkin däldi.[2]Gurlan ilkinji iş enjamy anokat kontakt tranzistoryAmerikaly fizikler tarapyndan 1947-nji ýylda oýlanyp tapyldyJon BardeenweWalter Brattainastynda işleýärkäWilliam ŞokliatBell laboratoriýasy.Üçüsi 1956-njy ýylda paýlaşdyFizika boýunça Nobel baýragygazananlary üçin.[3]Iň köp ulanylýan tranzistor görnüşimetal - oksid - ýarymgeçiriji meýdan effektli tranzistor(MOSFET) tarapyndan oýlanyp tapyldyMuhammet AtallaweDawon Kahng1959-njy ýylda Bell Labs-da.[4][5][6]Tranzistorlar elektronika pudagyny öwrüldiler we has kiçi we arzan ýol açdylarradiolar,kalkulýatorlary, wekompýuterler, beýleki zatlaryñ arasynda.
Tranzistorlaryň köpüsi gaty arassakremniýwe käbirlerindenGermaniýa, ýöne käbir beýleki ýarymgeçiriji materiallar käwagt ulanylýar.Tranzistorda diňe bir görnüşli zarýad göterijisi, meýdan täsirli tranzistorda ýa-da iki görnüşli zarýad göterijisi bolup biler.bipolýar çatryk tranzistorenjamlary.Bilen deňeşdirilendevakuum turbasy, tranzistorlar köplenç kiçi we işlemek üçin az güýç talap edýärler.Käbir vakuum turbalary gaty ýokary işleýiş ýygylyklarynda ýa-da ýokary iş naprýa .eniýesinde tranzistorlardan artykmaçlyga eýe.Tranzistorlaryň köp görnüşi, köp öndürijiler tarapyndan standartlaşdyrylan spesifikasiýalara ýasalýar.