sargyt_bg

önümleri

Täze özboluşly elektroniki komponentler IC Çip IRF3205STRLPBF Integrirlenen zynjyrlar

gysga düşündiriş:


Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Önüm aýratynlyklary

TYPE Düşündiriş
Kategoriýa Diskret ýarymgeçiriji önümler

Tranzistorlar - FET, MOSFET - leeke

Mfr Infineon tehnologiýalary
Seriýa HEXFET®
Bukja Lenta we makara (TR)

Lentany kesiň (CT)

Digi-Reel®

Önümiň ýagdaýy Işjeň
FET görnüşi N-Kanal
Tehnologiýa MOSFET (metal oksidi)
Çeşme naprýa toeniýesine drena ((Vdss) 55 V.
Häzirki - üznüksiz zeýkeş (Id) @ 25 ° C. 110A (Tc)
Sürüjiniň naprýa .eniýesi (Maks Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V
Vgs (üçünji) (Maks) @ Id 4V @ 250µA
Derwezäniň zarýady (Qg) (Maks) @ Vgs 146 nC @ 10 V.
Vgs (Maks) ± 20V
Giriş ukyby (Ciss) (Maks) @ Vds 3247 pF @ 25 V.
FET aýratynlygy -
Kuwwatyň ýaýramagy (Maks) 200W (Tc)
Işleýiş temperaturasy -55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Gurnama görnüşi Faceerüsti dag
Üpjün ediji enjam bukjasy D2PAK
Bukja / gap TO-263-3, D²Pak (2 öňdebaryjy + Tab), TO-263AB
Esasy önümiň belgisi IRF3205

Resminamalar we metbugat

Resurs görnüşi LINK
Maglumatlar sahypalary IRF3205 (S, L) PbF
Beýleki baglanyşykly resminamalar IR bölek belgileri ulgamy
Önüm okuw modullary Volokary woltly integral zynjyrlar (HVIC derweze sürüjileri)
Aýratyn önüm Maglumatlary gaýtadan işlemek ulgamlary
HTML maglumat tablisasy IRF3205 (S, L) PbF
EDA modelleri SnapEDA tarapyndan IRF3205STRLPBF

Ultra Kitaphanaçy tarapyndan IRF3205STRLPBF

Simulýasiýa modelleri IRF3205SPBF Saber modeli

Daşky gurşaw we eksport klassifikasiýalary

ATTRIBUTE Düşündiriş
RoHS ýagdaýy ROHS3 laýyk
Çyglylyga duýgurlyk derejesi (MSL) 1 (Çäklendirilmedik)
REagdaý Täsir etmäň
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Goşmaça çeşmeler

ATTRIBUTE Düşündiriş
Beýleki atlar IRF3205STRLPBF-ND

SP001576758

IRF3205STRLPBFTR

IRF3205STRLPBFDKR

IRF3205STRLPBFCT

Standart paket 800

Tranzistor ýarymgeçiriji enjam bolup, güýçlendirijilerde ýa-da elektroniki dolandyrylýan wyklýuçatellerde köplenç ulanylýar.Tranzistorlar kompýuterleriň, jübi telefonlarynyň we beýleki ähli häzirki zaman elektron zynjyrlarynyň işini kadalaşdyrýan esasy gurluş bloklarydyr.

Çalt jogap tizligi we ýokary takyklygy sebäpli tranzistorlar güýçlendirmek, kommutasiýa, wolt sazlaýjy, signal modulýasiýa we yrgyldama ýaly köp sanly we analog funksiýalar üçin ulanylyp bilner.Tranzistorlar aýratynlykda ýa-da integral zynjyryň bir bölegi hökmünde 100 million ýa-da has köp tranzistor saklap bilýän gaty kiçi ýerde gaplanyp bilner.

Elektron turba bilen deňeşdirilende tranzistoryň köp artykmaçlygy bar:

1.Komponentiň sarp etmesi ýok

Turba näçe gowy bolsa-da, katod atomlarynyň üýtgemegi we dowamly howanyň syzmagy sebäpli kem-kemden ýaramazlaşar.Tehniki sebäplere görä, tranzistorlar ilkinji gezek ýasalanda şol bir kynçylyk çekýärdi.Materiallaryň ösüşi we köp tarapdan gowulaşmagy bilen tranzistorlar adatça elektron turbalardan 100-1000 esse uzak dowam edýär.

2.Gaty az sarp ediň

Elektron turbanyň diňe ondan biri ýa-da onlarçasy.Elektron turba ýaly erkin elektron öndürmek üçin süzgüç gyzdyrmagyň zerurlygy ýok.Tranzistor radio, ýylda alty aý diňlemek üçin diňe birnäçe gury batareýa gerek, bu turba radio üçin etmek kyn.

3.Haýsy gyzdyrmaly däl

Ony açanyňyzdan soň işläň.Mysal üçin, tranzistor radio açylan badyna öçýär we tranzistor teleýaýlymy açylan badyna surat düzýär.Wakuum turba enjamlary muny edip bilmeýär.Bootüklenenden soň, sesi eşitmek üçin biraz garaşyň, surata serediň.Harby, ölçeg, ýazgy we ş.m. tranzistorlaryň gaty amatlydygy düşnüklidir.

4. Güýçli we ygtybarly

Elektron turbasy bilen deňeşdirip bolmaýan elektron turbasyndan 100 esse ygtybarly, şok garşylygy, yrgyldy garşylygy.Mundan başga-da, tranzistoryň ululygy elektron turbanyň ululygynyň ondan birinden ýüzden bir bölegine çenli, gaty az ýylylyk çykaryjy, kiçi, çylşyrymly, ygtybarly zynjyrlary taslamak üçin ulanylyp bilner.Tranzistoryň önümçilik prosesi takyk bolsa-da, komponentleriň gurnama dykyzlygyny ýokarlandyrmaga amatly proses ýönekeý.


  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň