Ondarymgeçirijiler Elektron komponentleri TPS7A5201QRGRRQ1 Ic Çips BOM hyzmaty Bir ýer satyn almak

Çiplere syn

(i) Çip näme

Integrirlenen zynjyr, gysgaldylan IC;ýa-da mikroshema, mikroçip, çip elektronikada miniatýurizasiýa zynjyrlarynyň (esasanam ýarymgeçiriji enjamlar, şeýle hem passiw komponentler we ş.m.) usuly bolup, köplenç ýarymgeçiriji wafleriň üstünde öndürilýär.

(ii) çip öndürmek prosesi

Çip ýasamak prosesi çip dizaýnyny, wafli ýasamagy, paket ýasamagy we synagy öz içine alýar, şolaryň arasynda wafli ýasamak prosesi aýratyn çylşyrymly.

Birinjisi, çip dizaýny, dizaýn talaplaryna laýyklykda döredilen "nagyş", çipiň çig maly wafli.

Wafli kwars çägesinden arassalanan kremniden ýasalýar.Wafli arassalanan kremniý elementidir (99.999%), soňra arassa kremniý kremniý çybyklara ýasalýar, çip öndürmek üçin waflere bölünen integral zynjyrlar üçin kwars ýarymgeçirijileri öndürmek üçin material bolýar.Wafli näçe inçe bolsa, önümçiligiň bahasy şonça-da pes bolar, ýöne proses has talap ediler.

Wafli örtük

Wafli örtük okislenmä we temperatura çydamly we fotorezistiň bir görnüşidir.

Wafli fotolitografiýanyň ösüşi we çyzgysy

Fotolitografiýa prosesiniň esasy akymy aşakdaky diagrammada görkezilýär.Ilki bilen wafli (ýa-da substrat) ýüzüne fotorezist gatlagy ulanylýar we guradylýar.Guradylandan soň, wafli daşbasma enjamyna geçirilýär.Lightagtylyk, maskadaky nagşy wafli üstündäki fotorezistiň üstüne proýektirlemek üçin geçýär we fotokimiki reaksiýa täsir edýär.Soňra açylan wafli ikinji gezek bişirilýär, fotohimiki reaksiýa has doly bolan ekspozisiýadan soňky çörek.Ahyrynda, işlenip düzülen nagşy ösdürmek üçin, wafli ýüzündäki fotorezistiň üstüne sepilýär.Ösüşden soň maskadaky nagyş fotorezistde galdyrylýar.

Ueelimlemek, çörek bişirmek we ösdürmek bularyň hemmesi ýasama işläp düzüjide ýerine ýetirilýär we täsir etmek fotolitografda edilýär.Düwürtik dörediji we daşbasma enjamy, adatça, robot bilen enjamlar bilen enjamyň arasynda geçirilip, içerde işleýär.Exphli täsir ediş we ösüş ulgamy ýapyk we wafli daşky gurşawa zyýanly komponentleriň fotorezist we fotohimiki reaksiýalara täsirini azaltmak üçin gönüden-göni täsir etmeýär.

Hapalar bilen doping

Degişli P we N görnüşli ýarymgeçirijileri öndürmek üçin ionlary wafli oturtmak.

Wafli synagy

Aboveokardaky amallardan soň, wafli üstünde bir bölejik emele gelýär.Her öleniň elektrik aýratynlyklary pin synagy arkaly barlanýar.

Gaplamak

Öndürilen wafli berkidilýär, berkidilýär we talaplara laýyklykda dürli paketlere ýasalýar, şonuň üçin şol bir çip ýadrosyny dürli usullar bilen gaplap bolýar.Mysal üçin, DIP, QFP, PLCC, QFN we ş.m.Bu ýerde esasan ulanyjynyň amaly endikleri, amaly gurşawy, bazar formaty we beýleki periferiýa faktorlary kesgitlenýär.

Synag, gaplamak

Aboveokardaky amaldan soň çip öndürmek tamamlandy.Bu ädim çipi barlamak, kemçilikli önümleri aýyrmak we gaplamakdyr.

Wafli bilen çipleriň arasyndaky baglanyşyk

Çip birden köp ýarymgeçiriji enjamdan durýar.Ondarymgeçirijiler, adatça, diodlar, triodlar, meýdan täsir turbalary, kiçi güýç rezistorlary, induktorlar, kondensatorlar we ş.m.

Köp (elektronlaryň) ýa-da birnäçe (deşikleriň) polo positiveitel ýa-da otrisatel zarýadyny öndürmek üçin atom ýadrosynyň fiziki häsiýetlerini üýtgetmek üçin tegelek guýudaky erkin elektronlaryň atom ýadrosyndaky konsentrasiýasyny üýtgetmek üçin tehniki serişdeleri ulanmakdyr. dürli ýarymgeçirijileri emele getirýär.

Silikon we germaniý köplenç ýarymgeçiriji materiallar ulanylýar we olaryň häsiýetleri we materiallary köp mukdarda we bu tehnologiýalarda ulanmak üçin arzan bahadan elýeterlidir.

Silikon wafli köp sanly ýarymgeçiriji enjamlardan durýar.Ondarymgeçirijiniň wezipesi, elbetde, zerur bolşy ýaly zynjyry emele getirmek we kremniý wafli bar.